模拟电子技术（齐鲁工业大学）
第一章 单元测试
1、 问题:
P型半导体是掺入三价元素形成的，多子是自由电子 ，少子是空穴 。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
错
】
2、 问题:在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（ ）。
选项：
A:本征半导体
B:温度
C:杂质浓度
D:掺杂工艺
答案: 【
杂质浓度
】
3、 问题:PN结正偏时导通，反偏时截止，所以PN结具有单向导电性。 （ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】
4、 问题:稳定二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。 （ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】
5、 问题:空穴电流是由自由电子填补空位形成的。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
错
】
6、 问题:如图所示电路中，
设二极管特性理想，则UO为（ ）。
选项：
A:－12V
B:－9V
C:12V
D:9V
答案: 【
－9V
】
7、 问题:如图所示，设二极管的导通电压UD＝0.7V，则UO＝（ ）V。
选项：
A:0.7V
B:-2V
C:1.3V
D:2V
答案: 【
1.3V
】
8、 问题:PN结正向偏置时，其内电场被（ ）。
选项：
A:削弱
B:增强
C:不变
D:不确定
答案: 【
削弱
】
9、 问题:半导体二极管加正向电压时，有（ ）。
选项：
A:电流大电阻小
B:电流大电阻大
C:电流小电阻小
D:电流小电阻大
答案: 【
电流大电阻小
】
10、 问题:
PN结加正向电压时,空间电荷区将变宽。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
错
】
第二章 单元测试
1、 问题:某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压Va = 1.2V， Vb = 0.5V，Vc = 3.6V，试问该三极管是 （ ）型的三极管，该管的集电极是a、b、c中的（ ）。（ ）
选项：
A:NPN
B:PNP
C:a
D:b
E:c
答案: 【
NPN
c
】
2、 问题:三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结正偏。 （ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
错
】
3、 问题:共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ ），此时应该（ ）偏置电阻。（ ）
选项：
A:饱和失真
B:截止失真
C:交越失真
D:增大
E:减小。
答案: 【
截止失真
减小。
】
4、 问题:在共射、共集和共基三种放大电路组态中，希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相，可选用共射组态；希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相，可选用共集组态，共基组态的频率响应好。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】
5、 问题:某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（ ）
选项：
A:10kΩ
B:2kΩ
C:4kΩ
D:3kΩ
答案: 【
4kΩ
】
6、 问题:带射极电阻Re的共射放大电路，在并联交流旁路电容Ce后，其电压放大倍数将（ ）
选项：
A:减小
B:增大
C:不变
D:变为零
答案: 【
增大
】
7、 问题:有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（ ）
选项：
A:输入电阻大
B:输入电阻小
C:输出电阻大
D:输出电阻小
答案: 【
输入电阻小
】
8、 问题:为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（ ）
选项：
A:共射电路
B:共基电路
C:共集电路
D:共集-共基串联电路
答案: 【
共集电路
】
9、 问题:当用外加电压法测试放大器的输出电阻时，要求（ ）
选项：
A:独立信号源短路，负载开路
B:独立信号源短路，负载短路
C:独立信号源开路，负载开路
D:独立信号源开路，负载短路
答案: 【
独立信号源短路，负载开路
】
10、 问题:某放大状态的晶体管,知β＝50,测得其IE＝2.04mA,忽略穿透电流,则其IB为（ ）μA。
选项：
A:独立信号源短路，负载开路
B:独立信号源短路，负载短路
C:独立信号源开路，负载开路
D:独立信号源开路，负载短路
答案: 【
独立信号源短路，负载短路
】
第三章 单元测试
1、 问题:场效应管同双极型三极管相比，其输入电阻大，热稳定性好。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】
2、 问题:场效应管有共源、共栅、共漏三种组态。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】
3、 问题:场效应管是电流控制电流型器件，只依靠多数载流子导电。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
错
】
4、 问题:根据场效应管的输出特性，其工作情况可以分为可变电阻区、恒流区、击穿区和截止区四个区域。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】
5、 问题:能采用分压式偏置电路的是（ ）场效应管。
选项：
A:结型
B:耗尽型
C:增强型
D:结型、增强型和耗尽型
答案: 【
结型、增强型和耗尽型
】
6、 问题:
图（ ）表示N沟道增强型MOS管。
选项：
A:(a)
B:(b)
C:(c)
D:(d)
答案: 【
(a)
】
7、 问题:某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ ）。
选项：
A:增强型NMOS管
B:增强型PMOS管
C:耗尽型NMOS管
D:耗尽型PMOS管
答案: 【
耗尽型PMOS管
】
8、 问题:一场效应管的输出特性曲线如图所示，则该管是（ ）。
选项：
A:增强型NMOS管
B:增强型PMOS管
C:耗尽型NMOS管
D:耗尽型PMOS管
答案: 【
耗尽型NMOS管
】
9、 问题:某场效应管的的转移特性曲线如图所示，则该管是（ ）。
选项：
A:增强型NMOS管
B:增强型PMOS管
C:耗尽型NMOS管
D:耗尽型PMOS管
答案: 【
增强型PMOS管
】
10、 问题:结型场效应管发生预夹断后，管子（ ）。
选项：
A:关断
B:进入恒流区
C:进入饱和区
D:可变电阻区
答案: 【
进入恒流区
】
第四章 单元测试
1、 问题:多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有直接耦合，阻容耦合，变压器耦合 ，光电耦合 。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】
2、 问题:在多级放大电路里，可以把后级的输入电阻作为是前级的负载 ，可以把前级输出电阻是后级的信号源电阻。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】
3、 问题:多级放大电路的输入电阻就是第一级的输入电阻，输出电阻就是最后一级的输出电阻。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】
4、 问题:阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，它只能放大交流信号。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】
5、 问题:直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响，它只能放大直流信号。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
错
】
6、 问题:直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（ ）。
选项：
A:电阻阻值有误差
B:晶体管参数的分散性
C:晶体管参数受温度影响
D:电源电压不稳定
答案: 【
晶体管参数受温度影响
电源电压不稳定
】
7、 问题:集成电路中多采用（ ）耦合方式。
选项：
A:阻容耦合电路
B:变压器耦合电路
C:直接耦合电路
D:光电耦合
答案: 【
直接耦合电路
】
8、 问题:两级放大电路第一级电压放大倍数时为50，第二级电压放大倍数为80，则总的电压放大倍数为（ ）。
选项：
A:4000
B:400
C:130
D:40000
答案: 【
4000
】
9、 问题:把前一级输出端（或经过电阻等）直接接到下一级输入端，这种连接方式称为（ ）耦合。
选项：
A:阻容耦合电路
B:变压器耦合电路
C:直接耦合电路
D:光电耦合
答案: 【
直接耦合电路
】
10、 问题:直接耦合放大电路的放大倍数越大，在输出端出现的漂移电压就越（ ）。
选项：
A:大
B:小
C:不确定
D:跟放大倍数无关
答案: 【
大
】
第五章 单元测试
1、 问题:差分式放大电路能放大直流和交流信号，它对共模信}具有放大能力，它对差模信号具有抑制能力。 （ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
错
】
2、 问题:差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为差模信号。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】
3、 问题:共模抑制比KCMR越大，表明电路（ ）。
选项：
A:放大倍数越稳定
B:交流放大倍数越大
C:抑制零漂能力越强
D:输入信号中的差模成分越大
答案: 【
抑制零漂能力越强
】
4、 问题:若差分放大电路由单端输出变为双端输出，则其空载时的差模电压放大倍数将（ ）。
选项：
A:减小一半
B:增加一倍
C:约增加1.5倍
D:不变
答案: 【
增加一倍
】
5、 问题:在集成电路中，采用差分放大电路的主要目的是为了（ ）。
选项：
A:提高输入电阻
B:减小输出电阻
C:消除温度漂移
D:提高放大倍数
答案: 【
消除温度漂移
】
6、 问题:在双端输入的差动放大电路中，输入信号uI1和uI2分别为60mV和40mV，则其共模输入信号uIc和差模输入信号uId
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